光模块知识 · 北亿纤通
1.6T光模块发展：技术路线、关键挑战与产业趋势
一、为什么需要1.6T光模块
AI大模型训练集群规模从千卡扩展到万卡、十万卡，GPU之间的Scale-out网络带宽需求快速增长。交换芯片容量从51.2T升级到102.4T后，若仍使用800G端口，交换机前面板需要128个端口，难以布置；采用1.6T端口则可在64个端口内实现满带宽。同时，GPU网卡速率也在向1.6T演进，推动光模块同步升级。
二、1.6T光模块的核心技术变化：200G/lane
800G模块单通道为100G PAM4，1.6T模块在保持8通道的前提下把单通道速率提升到200G PAM4，波特率约113 GBd。这对电接口（224G SerDes）、DSP、驱动器、激光调制器和光电探测器的带宽都提出了更高要求。
| 项目 | 800G | 1.6T |
|---|---|---|
| 电接口 | 8×100G PAM4 | 8×200G PAM4 |
| 配套交换芯片 | 51.2T | 102.4T |
| 主流封装 | OSFP / QSFP-DD800 | OSFP / OSFP-XD |
| 典型功耗 | 约 13–18 W | 约 22–30 W |
| DSP 工艺 | 5nm/7nm 级 | 3nm/5nm 级 |
| 主要光学方案 | SR8 / DR8 / 2×FR4 | DR8 / 2×FR4 / SR8（演进） |
三、1.6T光模块的主要技术路线
3.1 EML方案
电吸收调制激光器（EML）是长期主流的单模高速光源，200G/lane EML已经实现量产应用，性能成熟，但高速EML芯片供应相对集中。
3.2 硅光方案
硅光（Silicon Photonics）在硅基晶圆上集成调制器、波导与探测器，配合外部连续波激光器（CW Laser），易于多通道集成、可借助CMOS工艺规模化，在DR8等并行方案中具备成本优势。详见硅光光模块。
3.3 薄膜铌酸锂（TFLN）
薄膜铌酸锂调制器带宽高、线性好，被视为200G乃至400G/lane的潜力方案，目前处于产业化推进阶段。
四、1.6T光模块面临的挑战
- 功耗与散热：单模块20–30 W，满配交换机光模块总功耗显著上升，推动液冷与高效散热设计；
- 信号完整性：200G/lane电通道损耗大，PCB与连接器设计难度增加；
- 光芯片供应：高速EML、硅光芯片与CW激光器产能需同步扩充；
- 测试与良率：更高速率的测试设备和更严格的生产工艺。
五、1.6T之后：LPO、NPO与CPO
为降低1.6T链路功耗，业内同时推进三类方案：一是LPO/LRO线性驱动可插拔，去除或减少DSP；二是NPO近封装光学，把光引擎移到芯片附近；三是CPO共封装光学，把光引擎与交换芯片封装在一起。此外，面向更高密度的XPO形态也在讨论中。可插拔模块凭借成熟生态与可维护性，在可预见时间内仍将是主流。
六、产业趋势小结
业内普遍预期1.6T光模块从2025年开始批量出货，并随102.4T交换机和1.6T网卡部署逐步放量；3.2T（16×200G或8×400G）已进入标准与预研阶段。1.6T模块典型规格可参考1.6T光模块产品页。
常见问题（FAQ）
1.6T光模块用什么封装？
主流为OSFP，部分方案采用OSFP-XD或QSFP-DD1600，OSFP因散热能力强、与800G AI集群兼容而最常见。
1.6T光模块功耗多大？
带DSP的1.6T模块典型功耗约22–30 W，LPO/LRO方案可明显降低，具体以实际型号为准。
3.2T光模块什么时候出现？
3.2T已进入标准讨论与预研阶段，可能采用16×200G或8×400G/lane方案，并与CPO、XPO等新形态并行发展。
说明：本文为行业通用技术科普，文中数值为业内典型值或公开资料中的常见范围，典型规格，具体以实际型号为准。